[P] P29~P38

2:00 PM - 3:30 PM JST(5:00 AM - 6:30 AM UTC)

[P31] Orientations of Cracks Formed in SiGe / Ge / Si (111)

Kota Tajima¹, *Junji Yamanaka¹, Keisuke Arimoto¹, Kosuke Hara¹, Youya Wagatsuma², Kentarou Sawano² (1. Univ. of Yamanashi, 2. Tokyo City Univ.)

Keywords:

歪SiGe,クラック,半導体ヘテロ構造,MBE,TEM

MBEで作製したSiGe/Ge/Si(111)に発生するクラックを電顕観察した。劈開面である{111}に沿ったクラック以外に{112}に沿ったクラックも観測された。その理由については検討が必要である。