[G] Electronic Materials/Terahertz Light

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[298] The effect of strain energy on photoinduced phase change in MnTe film

*Shunsuke Mori¹, Hiroshi Tanimura², Tetsu Ichitsubo², Yuji Sutou^1,3 (1. Tohoku Univ. (Eng.), 2. Tohoku Univ. (IMR), 3. Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

MnTe,光誘起相変化,光学特性,ひずみエネルギー

MnTe化合物薄膜は複数の結晶構造を持つ多形半導体であり、その多形変化により光学特性が大きく変化する。本研究では、超高速光記録技術に向けたMnTe薄膜の光誘起相変化現象を調査した。