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3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[300]Resistive switching behavior of Si-Te selector material

*Shogo HATAYAMA¹, Yuta Saito^1,2, Paul Fons³, Yi Shuang², Mihyeon Kim², Yuji Sutou² (1. AIST, 2. Tohoku Univ., 3. Keio Univ.)

アモルファス半導体,抵抗スイッチ挙動,セレクタ,電子状態

Ovonic Threshold Switchと呼ばれる抵抗スイッチ現象には不明な点が多く、その原理解明が急務となっている。本研究では、Si-Te系セレクタ材料を対象に、抵抗スイッチ挙動について電子状態の観点から調査を行った。