[P] P10~P26

[P26] Fabrication of p-type semiconductor using solid-state reaction of Mn/Se bilayer films

*Haruto Kouno¹, Mihyeon Kim², Yuta Saito^2,3 (1. Tohoku Univ., 2. Tohoku Univ., 3. Tohoku Univ GXT)

Keywords:

p型半導体,ワイドバンドギャップ半導体,固相反応,遷移金属セレナイド,セレン化合物

p型でかつ広いバンドギャップを持つMnSeを二層膜による固相反応を用いて作製することを目的として研究を行った。XRD測定と物性値の評価から、MnSe単相が得られていることを確認した。