Presentation Information

[218]Magnetostrictive properties in partially Co-substituted Fe4N films

*Huameng Yu1, Keita Ito2, Yasushi Endo1,3, Takeshi Seki2,3 (1. Grad. Sch. of Eng., Tohoku Univ., 2. IMR, Tohoku Univ., 3. CSIS, Tohoku Univ.)

Keywords:

窒化物,薄膜材料,磁歪定数

本研究では分子線エピタキシー法を用いてFe4-xCoxN薄膜をSrTiO3(001)基板上に成長し、構造及び磁気特性、特に[111]方向の磁歪定数を調べた。先行研究で得た[100]方向の磁歪定数を用いて多結晶の磁歪定数を評価した。

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