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[A1106]ホットプラズマTriple Q-ICP-MSによる半導体シリコン中の極微量不純物元素測定のためのシングルモード測定の開発

○モハマッド B.シャバニ―1、河野 利哉1、橋本 侑宜2 (1. 三菱マテリアル(株)、2. 高純度シリコン(株))

Keywords:

Triple-Q-ICP-MS,シリコン,極微量分析