[16p-B6-1~23] 12.2 Characterization and Materials Physics

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-B6-12] Gap states of PTCDA measured using high vacuum Kelvin probe and thermal equilibrium simulation

〇(M2)Yuki Furukawa¹, Hiroyuki Yoshida^1,2 (1.Chiba Univ., 2.Chiba Univ MCRC.)

Keywords:

Gap states

有機金属界面の電子準位は有機半導体のギャップ内準位に支配される。本研究では、ケルビンプローブ法により、仕事関数の異なる導電性基板上のPTCDAの仕事関数の膜厚依存測定を行った。この結果から熱平衡モデルシミュレーションより、ギャップ内準位の状態密度を導出した。この結果、未ドープにもかかわらずPTCDAはn型半導体的挙動を示し、状態密度は従来の予測よりも長い裾を引くことが明らかになった。