[16p-C301-1~18] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[16p-C301-5] Room-Temperature PL Properties of Ge-Core/Si Quantum Dots Embedded into Poly-Si Microdisks

〇(M2)Koki Hosoi¹, Yuji Yamamoto², Wei-chen Wen², Katsunori Makihara¹ (1.Nagoya Univ., 2.IHP)

Keywords:

Si-Ge,microdisk,Quantum Dots

フォトニック集積回路やチップ上での光配線の実現のため、信号を送信する光源として、Si-ULSI技術を用いたSiやGe量子ドットなどのSiベースのナノ構造を含むマイクロ共振器レーザーの研究が盛んに行われている。これまでに我々は、熱成長SiO₂上にSiH₄およびGeH₄のLPCVDを制御することでGeコアを内包したSi量子ドットが高密度一括形成でき、室温で近赤外領域のフォトルミネッセンス(PL)およびエレクトロルミネッセンスが認められることを報告してきた。本研究では、GeコアSi量子ドットを内包したマイクロディスク構造を形成し、室温でのPL特性を評価した。