[17p-P02-1~9] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[17p-P02-1] Initial Thermal Oxidation of Graphene Layers Formed by Annealing SiC(0001) Substrates in Vacuum

〇Ryoya Katayama¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:

SiC,Thermal Oxidaiton,XPS

デバイスに主に使われているSiC(0001)Si面は、表面処理により様々な表面再配列構造を示すことが知られている。本研究では、真空加熱により形成される炭素層表面を初期表面として、熱酸化過程をX線光電子分光(XPS)による内殻準位スペクトルにより調べた。SiC熱酸化による良質なSiO₂膜形成にはバルク炭素原子の完全な脱離が必要であり、グラフェン層を含む炭素層表面がどのように分解脱離し酸化が進行するかを明らかにすることは、その後の酸化によるバルク炭素原子の脱離反応の理解につながると考えられる。