[17p-P02-1~9] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[17p-P02-7] Nitriding of Metal Thin Film under N₂+H₂ Mixed Gas Atmosphere

〇Yudai Takeshita¹, Ryouta Gemma^1,2 (1.Tokai Univ., 2.Micro/Nano Technology Center, Tokai Univ)

Keywords:

Nitriding

ガス窒化処理では、アンモニアが用いられるが、アンモニアが排ガスとして発生するため、より環境負荷の小さい窒化処理が求められている。スパッタによって製膜した薄膜の表面は表面積が小さいため比較的安定で、表面の酸化、水酸化などが起こりにくいと考えられる。本研究では、SUS304およびCr、等の窒化物形成元素を主成分とした薄膜を成膜しN₂+H₂混合ガス中における窒化を検討した。