[18p-A24-1~13] 23.1 Joint Session N "Informatics"

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[18p-A24-8] Spectral Imaging Analysis of InGaN QWs Using Nonnegative Matrix Factorization

〇Kazunori Iwamitsu¹, Kenta Sakai², Zentaro Akase¹, Atsushi A. Yamaguchi², Shigetaka Tomiya¹ (1.NAIST, 2.Kanazawa Inst. of Tech.)

Keywords:

PL spectral imaging,gallium nitride semiconductor,metrology informatics

III族窒化物半導体は深紫外から赤まで広範囲な波長域の発光デバイス実現可能性があるが、点欠陥や転位などの結晶欠陥の影響、InGaN量子井戸においてはIn組成の増加に伴い非混和性の影響が大きくなる等の様々な要因が考えられ、多角的視点で解明する必要がある。本研究はInGaN量子井戸層におけるIn組成ゆらぎとキャリアの振る舞いを解明するために、複数の計測手法の発光スペクトルイメージングを計測・組合せて解析した結果を報告する。