[19a-A35-1~11] 3.12 Semiconductor optical devices

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[19a-A35-1] Temperature characteristics of InGaAs single-photon avalanche diode using inverted structure.

〇Yuki Yamada¹, Ikue Hiraoka¹, Fumito Nakajima¹ (1.NTT Device Technology Labs.)

Keywords:

semiconductor,avalanche photodiode,single photon detection

単一光子アバランシェダイオード(SPAD)は、極低温の冷却機構を必要としない単一光子検出器であり、量子情報通信の実用に有望な技術である。本報告では、反転型構造を導入することでリーク（暗係数）を低減したSPADを提案し、温度依存性の評価結果を示す。