Presentation Information
[10a-E203-6]Near-infrared laser photocurrent mapping of InGaAs-graphene transistors
and InGaAs-graphene diodes
〇Shoichiro Fukushima1, Masaaki Shimatani1, Manabu Iwakawa1, Shinpei Ogawa1 (1.Mitsubishi Electric Corp.)
Keywords:
graphene,near-infrared,photocurrent mapping
我々は主に光ゲート効果を用いたグラフェン光検出器の高感度化検討を行ってきた。これまでに、InGaAs PIN フォトダイオード上にグラフェン電界効果トランジスタ (InGaAs-GFET) 及びグラフェンヘテロ接合ダイオード (InGaAs GD) を形成し、近赤外光検出について報告した。イメージセンサにおいては、画素となる受光領域内の位置や構造が光電流生成に与える影響を空間的に評価する必要がある。本研究では、近赤外レーザを集光走査しながら電流変化を測定することにより、両素子の受光領域における光応答分布を評価した結果を報告する。