[10a-E206-1~6] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[10a-E206-1] Effect of Cat-CVD Silicon Nitride Films on the Potential-Induced Degradation in Silicon Heterojunction Solar Cells

〇Lin Guo¹, Kensaku Maeda¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

Cat-CVD,Silicon Heterojunction Solar Cell,Potential-Induced Degradation

Cat-CVD法によるSiNₓ膜堆積がSHJ太陽電池のPID耐性に及ぼす影響を調査した。市販SHJセルを2 cm角に劈開し，膜厚の異なるSiNₓ膜を堆積した後，ガラス/EVA/セル/EVA/バックシート構造のミニモジュールを作製した。−1000 V，85 ℃でPID試験を行い，J–VおよびEQE測定により発電特性を評価した。その結果，SiNₓ膜を堆積した試料ではPID後にJscおよびVocの低下が確認され，特にSiNₓ膜が厚い場合に劣化が顕著となった。以上より，SiNₓ膜の有無および膜厚がSHJ太陽電池のPID特性に影響を及ぼすことが示唆された。