[11p-B32-1~7] Advances in Lattice-Mismatched Epitaxy: vdWE 4Xth Anniversary Symposium

4:00 PM - 4:30 PM JST(7:00 AM - 7:30 AM UTC)

[11p-B32-6] Fabrication of atomic-layer materials by van der Waals Epitaxy and their interface-induced electronic states by ARPES

〇Katsuaki Sugawara^1,2,3 (1.Grad. Sch. Sci., Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 3.JST-PRESTO)

Keywords:

van der Waals epitaxy,ARPES,TMDs

グラフェンをはじめとするvan der Waals層状物質では、原子層化や界面設計によってバルクにはない量子物性が発現する。本講演では、van der Waals epitaxyによる原子層物質創製とARPESを融合した研究を紹介し、界面相互作用によって誘起される新奇電子状態の直接観測結果とその物理的起源について議論する。さらに、界面電子状態を利用した新奇量子物性創出の可能性を展望する。