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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-S5-4]Direct measurements of the lattice behavior of silicon monocrystal under femtosecond laser-driven shock compression

〇(M2)Kohei Shinya¹, Kazuto Arakawa², Hiroshi Arima³, Yuichi Inubushi^4,5, Takuo Okuchi³, Noriaki Kida^4,5, Takahisa Shobu⁶, Yusuke Seto⁷, Tadashi Togashi^4,5, Nobuhiko Nakanii⁸, Tomokazu Sano¹ (1.The Univ. of Osaka, 2.Shimane Univ., 3.Kyoto Univ., 4.JASRI, 5.RIKEN, 6.JAEA, 7.Osaka Metropolitan Univ., 8.QST)

Keywords:

femtosecond laser,shock compression,X-ray Free Electron Laser

フェムト秒レーザを材料に照射した際に駆動される衝撃波は，高密度格子欠陥や非平衡相など，従来法とは異なる微細組織を材料中に形成することが報告されている．この特異性は衝撃波そのものの特性や，それに伴う材料の変形挙動が従来法とは異なることに起因することが示されている．フェムト秒レーザ駆動衝撃圧縮下における変形挙動について，金属材料ではいくつかの報告があるものの，シリコンについては調べられていない．そこで本研究ではフェムト秒レーザ駆動衝撃波形成過程におけるシリコンの格子挙動を明らかにするために，X 線自由電子レーザーを用いたその場計測を実施した．

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