Presentation Information
[8p-PB2-4]Initial Thermal Oxynitridation of SiC(0001) with N2O Gas Thermally Excited by W and Rh Filaments
〇Shota Ito1, Yuga Kikuta1, Yoshiharu Enta1 (1.Hirosaki Univ.)
Keywords:
SiC,Themal Oxynitridation,XPS
SiC基板を用いたMOS-FETデバイスにおいて、良質な表面絶縁膜／SiC基板界面の形成が重要であり、そのための有効手段として界面への窒素添加が挙げられる。我々は、酸化膜形成に亜酸化窒素(N2O)ガスを用い、酸化と窒素添加を同時に行い、加えてN2Oは反応性が低いため反応性向上のための熱励起法について研究を行っている。前回、熱励起としてタングステン(W) フィラメントを用いた結果を報告したが、今回はロジウム(Rh) を用いて同様の実験を行い、酸窒化反応に及ぼす違いを内殻準位光電子分光により分析し、両者を比較した結果を報告する。