Presentation Information
[9a-B21-4]Time-Constant Engineering of Protonic Short-Term Memory Devices for Multi-Timescale Reservoir Computing
〇Yoshihiro Furue1, Satoshi Hamasuna1, Yohito Tateishi1, Takeaki Yajima1 (1.Kyushu Univ.)
Keywords:
Reservoir Computing,Ionic Conductor,Oxide
リザバーコンピューティングの性能は，入力信号とリザバーの時間スケールが整合しているほど高い。実環境に存在する時系列データは，音声，生体信号，天候データなど，秒から分にわたる多様な時間スケールを有することから、広範囲の時定数を持つ短期記憶素子が必要である。本研究では，多様な時間スケールに対応可能な短期記憶素子の実現に向けて，Pd/TiO₂/TiO₂(001):Nb(1 wt%) からなる積層型二端子デバイスを作製し，中間TiO₂層の膜厚制御による時定数制御を試み、時定数がTiO2中間層の膜厚に強く依存することを発見した。その緩和過程を二つの時定数を持つモデルでフィッティングしたところ，どちらの時定数もTiO₂中間層の膜厚を10nm増やすごとに約一桁増加することが分かった。