[9p-E207-1~12] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-E207-2] Optoelectronic Memory Switched by Interfacial Photochemical Reactions

〇(D)Tai Kobayashi¹, Ryosuke Nishikubo^1,2, Akinori Saeki^1,2 (1.Univ. of Osaka, 2.ICS-OTRI)

Keywords:

Optoelectronic memory,Photovoltaics,Wavelength dependence

一般的な光電変換素子は特定の波長選択性を持たない。しかし当研究室ではTiO₂を電子輸送層に積層した光電変換素子が特異的に照射波長に応じて電圧が可逆的に変化する新たな現象を見出した。本研究ではこの波長応答性から着想を得た、波長に応じて読み書きを行う光電気メモリの創成に取り組んだ。素子内部の光触媒反応によって「中間層」の状態を変化させ、その出力を制御する。本発表では中間層材料による違いについて議論する。