[9p-S1-1~7] State-of-the-art spintronics using layered materials

4:15 PM - 4:45 PM JST(7:15 AM - 7:45 AM UTC)

[9p-S1-6] Novel properties arising from large-angle vdW twistronics of 2D magnetic layers

〇Junji Haruyama¹ (1.Aoyama Gakuin Univ.)

Keywords:

Twistronics,2D magnetic layers,tunnel magnetoresistance

本講演では、２つの薄層磁性体Fe₃GeTe₂ (FGT)を0-90°でvdWツイスト積層すると、強く角度依存した疑似トンネル磁気抵抗(TMR)特性が出現することを報告する。これが、ツイスト角に応じた層間格子不整合により形成された僅かサブnmのvdWギャップに起因する事を示し、多数・少数スピン密度差が非常に大きいFGTの特殊なスピン状態に起因する可能性を示す。層間格子整合が大TMR比実現に必要不可欠であることをこれは意味し、積層FGT層間格子整合が採れれば理論上hBNトンネル膜で3000%、真空トンネル層で 10,000%を超えるGMR比の可能性があることを示す。 更に、原子層WTe₂上に積層したFGTを用い創出した磁気スキルミオンTMR特性も当日示す。