Presentation Information
[B5-8]ヒ酸化物 (SbAsO4, BiAsO4) の溶解度に対する塩化物イオンの影響
○宮永冬彦1, 関本英弘2, 山口勉功2 (1.岩手大学大学院, 2.岩手大学工学部)
司会:大上悟(九大)
Keywords:
電解精錬,溶解度,ヒ酸化物
15族元素(As, Sb, Bi)は、銅電解浴中において複雑な難溶性化合物を生成する。この化合物は、電流効率の低下などの問題を引き起こすため、生成の抑制が必要である。この目的のためには、As-Sb-Bi系化合物の溶解度積が有益な指標となる。これまでの研究で、硫酸酸性水溶液に対するSbAsO4の溶解度積 Ksp1 =[SbO+][AsO43-][H+]2 =(2.1 ± 0.8)×10-27 mol4 L-4、BiAsO4の溶解度積Ksp2 =[Bi3+][AsO43-]= (2 ± 2)×10-27 mol2 L-2を得ている。本研究では、SbAsO4及び BiAsO4の溶解度に対する塩化物イオン濃度依存性を調べた。結果、SbAsO4 は[Cl-]が1×10-3 mol L-1以下においては硫酸酸性水溶液に対する溶解度と大きな違いを示さなかったが、1×10-2 mol L-1以上においては溶解度が大きくなる傾向を示した。BiAsO4 は[Cl-]が1×10-3 mol L-1付近で溶解度が最小を示し、1×10-2 mol L-1以上では[Cl-]が高くなるに従い溶解度が上昇した。
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