Presentation Information
[3811]Electrochemical siliciding of C/C composite
○竹田修1, 杉山啓太1, 星政義1, 朱鴻民1 (1.東北大学)
司会:関本英弘(岩手大学)
Keywords:
C/C コンポジット,表面改質
本研究では、火力発電タービン翼への適用を目指し、C/Cコンポジットの耐酸化性を向上させるために、グラファイトおよびC/C コンポジット上にSiC を溶融塩電解で形成させることを試みた。900～1000℃の電解ではLiF-47mol%
KF-5mol% KCl- 1mol% K2SiF6浴を用い、1100～1300℃の電解ではBaF2-50mol% CaF2 -1mol% SiO2浴を用いた。カソードにグラファイト、アノードおよび参照極にSi を用いた。Ar気流下、5mA・cm-2 の電流密度で定電流電解を行い、電解後の試料をSEM-EDX を用いて分析した。900℃の電解では、グラファイトカソードに粒状のSi が断片的に析出し、Siと基板の間にSiCが生成した。一方、1000℃以上での電解では全面にSiCの被膜が生成した。本研究の被覆対象であるC/C コンポジットは多数の溝が存在し、その溝を被膜で埋めることで密着性が向上するが、本実験で用いたグラファイト基板にも多数の溝が存在する。1300℃での電解では、開口幅8 micron、深さ20 micron の溝をSiC 被膜で埋めることに成功した。
<a href="http://confit-fs.atlas.jp/customer/mmij2015b/pdf/3811.pdf" target="_blank"></a>
KF-5mol% KCl- 1mol% K2SiF6浴を用い、1100～1300℃の電解ではBaF2-50mol% CaF2 -1mol% SiO2浴を用いた。カソードにグラファイト、アノードおよび参照極にSi を用いた。Ar気流下、5mA・cm-2 の電流密度で定電流電解を行い、電解後の試料をSEM-EDX を用いて分析した。900℃の電解では、グラファイトカソードに粒状のSi が断片的に析出し、Siと基板の間にSiCが生成した。一方、1000℃以上での電解では全面にSiCの被膜が生成した。本研究の被覆対象であるC/C コンポジットは多数の溝が存在し、その溝を被膜で埋めることで密着性が向上するが、本実験で用いたグラファイト基板にも多数の溝が存在する。1300℃での電解では、開口幅8 micron、深さ20 micron の溝をSiC 被膜で埋めることに成功した。
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