熱力学データに基づく新素材開発

2:20 PM - 3:10 PM JST(5:20 AM - 6:10 AM UTC)

[3112-14-01] Preparation of Oxide Semiconductor Layers and the Devices Based on Thermodynamics

^○Masanobu izaki¹ (1. Toyohashi University of Technology)

司会: 八木俊介（東京大学）

Keywords:

Thermodynamics,Oxide,Semiconductor,Electrochemistry

水溶液電気化学反応によりZnO、Cu₂Oなどの酸化物半導体ならびにFe₃O₄などの強磁性体を直接形成することができるとともに、ZnO直立ナノワイヤシンチレータ、Cu₂O/ZnO太陽電池、有機発光ダイオード用ZnO電子注入層として動作させることができる。ここでは、酸化物半導体直接形成プロセスを設計するための水溶液中酸化—還元反応と酸—塩基反応の化学熱力学的取り扱いと素子動作のための半導体品質・ナノ構造制御のための電気化学ヘテロエピタキシャル成長技術や半導体素子のヘテロ界面制御技術などについて概説し、水溶液製膜技術の能力と限界を熱力学的取り扱いと関連させて考えたい。