Presentation Information
[C-2A-13]HEMTの物理構造を考慮した小信号雑音等価回路モデル
〇Hirotaka Sato1, Nobuyuki Ogawa1, Yutaro Yamaguchi1 (1. Mitsubishi Electric Corporation)
Keywords:
Noise Circuit Model,HEMT,Low Noise Amplifier
広帯域低雑音増幅器の高精度な設計にはHEMTの
雑音特性を帯域全体で高精度に再現する雑音等価回
路モデルが必要である．これまで，HEMT真性部の
ゲート側及びドレイン側の熱雑音をそれぞれ等価温
度Tg及びTdで模擬する等価回路モデル[1]やそれら
に加えてゲートリークによる雑音を等価温度Tpまた
は電流源IgLで模擬する等価回路モデル[2][3]が報告
されている．しかしこれらのモデルでは，HEMTの
物理構造を考慮していないため，雑音最適入力負荷
インピーダンス（Sopt）やSoptにおける雑音温度
（Tmin）といったHEMTの雑音特性を限定的な周波
数範囲でしか再現できない．本報告では，HEMTの
物理構造に起因した寄生容量Cgspを等価回路に組み
込んだ小信号雑音等価回路モデルを提案し，精度検
証した結果を報告する．
雑音特性を帯域全体で高精度に再現する雑音等価回
路モデルが必要である．これまで，HEMT真性部の
ゲート側及びドレイン側の熱雑音をそれぞれ等価温
度Tg及びTdで模擬する等価回路モデル[1]やそれら
に加えてゲートリークによる雑音を等価温度Tpまた
は電流源IgLで模擬する等価回路モデル[2][3]が報告
されている．しかしこれらのモデルでは，HEMTの
物理構造を考慮していないため，雑音最適入力負荷
インピーダンス（Sopt）やSoptにおける雑音温度
（Tmin）といったHEMTの雑音特性を限定的な周波
数範囲でしか再現できない．本報告では，HEMTの
物理構造に起因した寄生容量Cgspを等価回路に組み
込んだ小信号雑音等価回路モデルを提案し，精度検
証した結果を報告する．