Presentation Information
[C-3_C-4-12]400 Gb/s 用低暗電流・大受光径裏面入射型フォトダイオード
実現に向けた一検討
〇Yamato Furukawa1, Daiki Tsubouchi1, Ryota Fujihara1, Susumu Ihara1, Tadashi Takase1 (1. Mitsubishi Electric Corporation)
Keywords:
photodiode
クラウドサービスや生成AIの普及を受け、データセンター内の通信トラフィックは急速に増加しており、光通信ネットワークにはさらなる大容量化・高速化が求められている。フォトダイオード（PD）の高速動作実現のためには、素子容量の低減が重要であり、その手段として受光素子のP/N接合サイズの縮小が挙げられる。しかし、それに伴い受光領域が狭くなるため、光入力のアライメントが難しくなる課題がある。今回、データセンター向けのPDに求められる高速動作と実用性の両立に向け、素子構造の検討および、評価を行った。その結果、低暗電流・大受光径・400 Gb/s動作を有するPD実現の見込みが得られたので報告する。