講演情報
[P117]プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスにおけるLiドープSiO:CH薄膜の堆積過程
*菅野 匡宏1、矢崎 衛1、井上 泰志1、高井 治2 (1. 千葉工大（院生）、2. 関東学院大材料・表面研)
キーワード：
CCP-CVD、マグネトロンスパッタリング、SiO:CH薄膜
SiO:CHにLiをドープさせることによって，固体電解質のような新しい機能を付与できる可能性があることから，プラズマCVD・スパッタリング複合プロセスを用いて，LiドープSiO:CH薄膜を作製し堆積過程を調べる．