講演情報
[S5.14]グラフェン欠陥における電場構造解析
*石川 亮1,2、Scott Findlay3、関 岳人1、Gabriel Sanchez-Santolino1、河野 裕二4、幾原 雄一1,5、柴田 直哉1,5 (1. 東京大工、2. JSTさきがけ、3. モナッシュ大、4. JEOL、5. JFCC)
キーワード：
グラフェン、原子電場、点欠陥
単層グラフェン中に形成された点欠陥の電場構造を解析するため、原子分解能での微分位相コントラスト法を用いた走査透過型電子顕微鏡による直接観察を行った。