講演情報
[P56]斜入射堆積反応性蒸着法によるMnドープInN薄膜の作製
*星 大輔1、大関 涼平1、井上 泰志1、高井 治2 (1. 千葉工大工、2. 関東学院大材料表面研)
キーワード：
反応性蒸着法、斜入射堆積法、吸着誘起型エレクトロクロミック、バンド構造、Moss-Bursteinシフト
InNにMnを添加することによる吸着誘起型エレクトロクロミック特性への影響を調査した．ITOコートガラス基板に窒素ラジカル照射環境下でInとMnを同時に蒸着した結果，作製したInMnN膜で吸収端のシフトが確認できた．