[S2] 機能コアの材料科学Ⅰ(1)

9:30 〜 9:50

[S2.3] 深紫外透明SrSnO3薄膜トランジスタの作製と熱電能電界変調

*龔 李治坤¹、魏 冕¹、梁 豆豆^2,3、Cho Hai　Jun³、太田 裕道³ (1. 北大院情報、2. 北京科技大、3. 北大電子研)

キーワード：

酸化物半導体、薄膜トランジスタ

本研究では、SrSnO3薄膜を活性層とした薄膜トランジスタ（TFT）を作製し、その動作機構を熱電能電界変調法によって調べた。