[K2] スピントロニクスとテラヘルツ光技術の融合と応用展開

9:05 〜 9:35

[K2.1] [基調講演] THz周波数領域の分光解析による半導体薄膜の電気特性評価

*藤井 高志¹ (1. 立命館大学)

キーワード：

THz、電気特性、半導体、ドルーデモデル

金属や半導体などの無機導電物質の電気伝導はドルーデモデルに従う。THz周波数領域（0.3～3.5THz）での複素誘電率を正確に測定することにより、これらの物質の電気特性を電極を用いることなく測定が可能である。