講演情報

[P90]多孔質Siを用いた熱電変換デバイスの作製条件検討

*橋本 康孝1、佐々木 誠1、日山 洋平1、永野 隆敏1、池田 輝之1 (1. 茨城大学大学院)

キーワード:

熱電変換材料、ポーラス材料、接合、デバイス、抵抗率

熱電変換材料をポーラス化し熱流体との界面積を増大することにより熱の流入量を増加させた新しい熱電変換デバイスの作製に必要な、接合条件やデバイスデザインについて議論する。