講演情報

9:00 〜 10:30

[P34]ドロップチューブプロセスを用いた希土類金属元素添加GaSb系磁性半導体微粒子の単結晶形成能と結晶成長機構

*平野拓馬¹、永山勝久² (1. 芝浦工業大学（院生）、2. 芝浦工業大学)

単結晶形成能と結晶成長機構、GaSb系磁性半導体、ドロップチューブプロセス、希土類金属元素

本研究はGaSbに種々の希土類金属元素を添加し , ドロップチューブを用いて , 単結晶微粒子の形成能と希土類金属元素の固溶量及び微粒子の成長形態について解析することを目的とした .