講演情報

10:40 〜 12:10

[P94]ドロップチューブプロセスを用いたGd, Dy添加InSb希薄磁性半導体微粒子の単結晶形成能と微細構造

*山本真央¹、永山勝久² (1. 芝浦工業大学(院生)、2.芝浦工業大学)

ドロップチューブ、希薄磁性半導体、単結晶形成能と成長形態、希土類元素

3d遷移金属元素とは異なる磁性発現を示す4f希土類金属元素を添加したInSb3元微粒子の単結晶形成能と成長形態及び磁性元素の固溶量と微細構造についての解析を行った。