[KS] K4 自動車の大変革を担う材料技術の最新動向

15:10 〜 15:40

[K4.8] [基調講演]パワー半導体材料・デバイス開発の最前線

*小出 康夫¹ (1. 物質・材料研究機構)

キーワード：

パワー半導体材料、デバイス開発

次世代パワー半導体材料としてSiC、GaN、Ga₂O₃、およびダイヤモンドが注目されている。本講演ではそれぞれの半導体材料、ウェハ、および光電子デバイスの現状と材料学的課題、将来展望について言及する。