[G] 溶融・凝固プロセス 高温プロセス

14:40 〜 14:55

[102] InSbの双晶形成頻度と過冷却度の関係

*志賀 敬次¹、髙橋 温子¹、前田 健作¹、森戸 春彦¹、藤原 航三¹ (1. 東北大金研)

キーワード：

化合物半導体、融液成長、双晶、その場観察

化合物半導体InSbの一方向凝固過程における双晶形成過程をその場観察し、固相－固相－液相の三相境界モデルを用いて粒界溝における双晶核形成頻度と過冷却度の関係を調べた。