講演情報

15:30 〜 17:00

[P204]静磁場印加電磁浮遊法を用いたSi-Ge融体の垂直分光放射率測定

*新井佑梨¹、大塚誠²、安達正芳²、福山博之² (1. 東北大（院生）、2. 東北大　多元研)

Si、Ge、放射率、融体

Si-Ge融体の熱伝導率測定を目的としており、そのためには融体の熱容量の測定が必要である。本研究では熱容量測定に必要なレーザー吸収率を得るためSi-50 mol％Ge融体の垂直分光放射率の測定を行った。