[S6] S6.材料変形素過程のマルチスケール解析(V)(2)

9:00 〜 9:40

[S6.6] [基調講演]偏光観察による次世代パワーデバイス半導体基板の欠陥解析

*原田 俊太¹、松原 康高¹、村山 健太² (1. 名古屋大、2. Mipox)

キーワード：

偏光観察、パワー半導体、結晶欠陥、SiC

偏光観察による次世代パワーデバイス半導体基板の欠陥解析について解説する