講演情報

[S4.10]ステップ端誘起スパイラル成長による空間反転対称性の破れたバルクSnS形成

張 益仁1、名苗 遼1、篠北 啓介2、松田 一成2、*長汐 晃輔1 (1. 東京大学、2. 京都大学)

キーワード:

2次元層状材料、スパイラル成長、空間反転対称性

本研究では,単原子厚さ(0.335nm)のステップが大量に存在するグラファイト基板(HOPG)を用いてSnSのPVD成長を行うことでスパイラル成長を誘起し,分極方向をすべて揃えることを試みた.