[P] P199~P215

15:00 〜 16:30

[P210] スパッタリング法によるRu薄膜結晶方位の基板温度依存性

*坂部 仁貴¹、佐藤 嶺央¹、永野 隆敏¹、芝地 雄太郎² (1. 茨城大学理工、2. 株式会社フルヤ金属)

キーワード：

薄膜、スパッタリング法、ルテニウム

ルテニウムは、結晶構造や方位を制御する事によって磁性が発生すると知られている。本研究はスパッタリング法を採用し、結晶性の高い薄膜を作製する為に、作製時のガス圧や電力などの依存性を調べた。