[G] 半導体・テラヘルツ光

11:40 〜 11:55

[305] 廃プラテラヘルツ識別におけるテラヘルツ波入射条件の最適設計

*伊達 寛明¹、眞子 岳²、大窪 和明²、劉 庭秀²、佐々木 哲朗³、大橋 隆宏⁴、田邉 匡生⁴ (1. 芝浦工大（学生）、2. 東北大、3. 静岡大、4. 芝浦工大)

キーワード：

テラヘルツ波、廃プラスチック、偏光、入射角、識別

本研究はテラヘルツ波による廃プラスチック識別の精度向上を目的とし、偏光や入射角の観点から識別に適した入射条件の検討を行う。