[G] スピントロニクス・ナノ磁性材料、磁気機能材料

12:00 〜 12:15

[256] ユニモルフU字型デバイスにおける逆磁歪材料の設置方法と振動発特性の関係

*藤枝 俊¹、杉山 太一¹、岡田 拓¹、清野 智史¹、中川 貴¹、大石 佑治¹、牟田 浩明¹ (1. 阪大工)

キーワード：

振動発電、エナジーハーベスティング、逆磁歪効果、磁歪

逆磁歪材料を適切に貼り付けることにより、逆磁歪効果に起因した磁束密度変化が増強されることを示唆する結果を得た。