講演情報
[S3.5]ウルツ鉱型化合物半導体の転位挙動における光環境効果のナノインデンテーション法を用いた評価
*大栗 洋人1、李 燕1、栃木 栄太2、方 旭飛3、谷垣 健一1、大島 優4、松永 克志4、中村 篤智1 (1. 阪大基礎工、2. 東大生研、3. ダルムシュタット工大、4. 名大工)
キーワード：
光インデンテーション法、ZnO、GaN、錐面すべり、光塑性効果
ウルツ鉱型半導体であるZnOおよびGaNの(0001)に対して光環境制御下でナノインデンテーション試験を実施した．光環境が錐面すべりを抑制すること，光環境の切り替えに伴い即座に転位挙動が変化することを見出した．