[S8] S8.機能コアの材料科学 V（1） 多くの先進材料において、材料内部に存在する点欠陥や粒界、界面、転位等の結晶欠陥が、機能発現の起源となっている。したがって、結晶欠陥を高度に制御し、その機能を最大限に引き出すことができれば、材料研究における大きなブレークスルーとなると期待できる。また、近年のナノ計測技術や理論計算における分解能や精度の著しい進歩により、結晶欠陥の電子・原子レベル構造とそこに局所する機能に関する新規な知見が次々と得られるようになってきた。この流れを受け、結晶欠陥の特異な機能と各種外場との相互作用に着目し、令和元年から新学術領域「機能コアの材料科学」が立ち上がっている。関連するシンポジウムである本「機能コアの材料科学 V」では、機能コアに関する最新の研究成果を議論し、今後の課題と方向性について意見交換する場としたい。

10:40 〜 11:00

[S8.2] 光インデンテーション法を用いたウルツ鉱型単結晶の転位挙動における光環境効果の評価

*李 燕¹、木下 凌輔¹、大栗 洋人¹、栃木 栄太²、中村 篤智¹ (1. 大阪大学、2. 東京大学)

キーワード：

可塑性、半導体、ナノインデンテーション

Photoindentation tests were conducted on two wurtzite semiconductor single crystals, ZnO and GaN, with different crystal orientations. The effects of light on dislocation behavior were revealed.