[G] スピントロニクス・ナノ磁性材料／磁気機能材料

10:15 〜 10:30

[68] Co-(Mg-F)ナノグラニュラー薄膜のゲージ効果とその理論考察

*内山 智元（D）¹、王 誠¹、長谷川 唯²、小林 伸聖²、増本 博¹、高橋 三郎³、前川 禎通⁴ (1. 東北大・学際研、2. 電磁研、3. 東北大・AIMR、4. 理研)

キーワード：

ナノグラニュラー薄膜、Co-(Mg-F)薄膜、ひずみゲージ、トンネル効果、スパッタ

本研究では、Coナノ粒子がMgF₂母相中に分散したCo-(Mg-F)ナノグラニュラー薄膜のゲージ効果について理論考察と実証実験を行った。薄膜の電気抵抗は引張ひずみを加えると増加し、圧縮ひずみを加えると減少した。