[P] P9~P13

14:00 〜 15:30

[P11] Auで被膜した加熱基板上におけるGe薄膜の結晶化：Ge膜厚依存性

*小杉 哲平¹、弓野 健太郎^1,2 (1. 芝浦工大（院生）、2. 芝浦工業大学グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

キーワード：

半導体薄膜、ゲルマニウム

本実験ではAu薄膜を形成した基板に加熱しながらGeをスパッタすることで、Ge薄膜の結晶化を試みた。アニール温度とGeの膜厚による結晶化への影響と成膜したGe薄膜の特性を調べることを本実験の目的とした。