[P] 第2分野　物性・電気・磁気関連材料　P1~P8

[P8] 磁性金属-(Mg-F)ナノグラニュラー薄膜のひずみ誘起機能特性

○内山 智元¹、王 誠¹、長谷川 唯²、小林 伸聖²、増本 博¹、高橋 三郎³、前川 禎通⁴ (1. 東北大・学際研、2. 電磁研、3. 東北大・AIMR、4. 理研)

キーワード：

ナノグラニュラー薄膜、ひずみゲージ、トンネル磁気抵抗効果、トンネル伝導

本研究では、磁性金属ナノ粒子が絶縁体であるMgF₂マトリックス中に分散した磁性金属-(Mg-F)ナノグラニュラー薄膜を同時スパッタ法によって成膜し、電気抵抗のひずみ依存性を調べた。加えて、トンネル磁気抵抗（TMR）効果のひずみ依存性も検討した。電気抵抗とTMR効果はひずみによって線形に変化した。