[16p-C42-1~12] フレキシブル・ストレッチャブルエレクトロニクスのフロンティア

17:45 〜 18:15

[16p-C42-11] エラストスピンデバイスとナノ・エラストロニクス

〇千葉 大地^1,2,3,4 (1.東北大SRIS、2.阪大産研、3.阪大CSRN、4.阪大OTRI)

キーワード：

スピントロニクス、磁気弾性効果、フレキシブルエレクトロニクス

力学量は身の回りにあふれる物理量である。我々は力学量を高感度にセンシングするため、スピントロニクス素子に注目をしている。スピントロニクス素子は磁性体や絶縁体のナノ薄膜の積層構造によって形成されている。ひずむにより磁性体の原子間隔が変化し、磁化の方向が変化し、素子の電気抵抗が大きく変化する。この特徴により、ひずみの方向や量を高感度にセンシング可能となった。MRAMなどですでに利用されている磁気トンネル接合(MTJ)をフレキシブル基材上に形成した素子においては、従来のフィルム型の金属箔ひずみゲージに比べ、500倍もの感度を示すことを実証している。当日はこれらエラストスピンデバイスの集積化の話題なども含め、その背景にあるナノエラストロニクスについて述べる。