[17a-B3-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[17a-B3-8] YbFe₂O₄ エピタキシャル薄膜の結晶相と組成の制御

〇嶋本 健人¹、葉山 琢充¹、市川 颯大¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪公立大工)

キーワード：

パルスレーザー堆積法、電子強誘電体、マルチフェロイック

YbFe₂O₄ は、結晶内で三角格子を構成する同数の Fe²⁺と Fe³⁺による電荷のフラストレーション状態に起因して、電荷・スピンの配列に秩序化が生じ、 ~330K 以下で電子強誘電性、 ~250K程度でフェリ磁性が発現するマルチフェロイック物質である。本報告では、 PLD 成長過程における気相状態や Fe 過剰ターゲットの利用が YbFe₂O₄ エピタキシャル薄膜の結晶相や金属組成におよぼす影響について報告する。