[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[17a-C302-3] CsPbBr₃/Cs₄PbBr₆におけるバンド端以下のエネルギーでの光吸収率の向上

〇登尾 尚紀¹、福田 光希¹、市川 修平^1,2、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：

ペロブスカイト、アンチストークス

ハロゲン化鉛ペロブスカイト半導体は優れた光物性から近年注目を集めており、なかでもCsPbBr₃/Cs₄PbBr₆複合材料では、励起光よりも高いエネルギーの発光(アンチストークス発光)が確認されていることから半導体光学冷却への応用が期待されている。しかし、バンド端以下のエネルギーでの光吸収率が低いことが課題として挙げられるため、本研究では結晶の大型化を行うことで吸収率の増大を試みたので報告する。