[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

11:00 〜 11:15

[17a-C302-9] 時系列機械学習手法を融合した非断熱分子動力学計算によるErドープしたGaAsの中間準位キャリアダイナミックス解析

〇牧野 侑矢¹、樗木 悠亮²、岡田 至崇²、曽我部 東馬¹ (1.電通大 i-PERC&基盤理工、2.東大先端研)

キーワード：

半導体、ニューラルネットワーク、非断熱分子動力学

本研究では、非断熱分子動力学計算と機械学習を融合したアプローチを提案する。第一原理計算により励起エネルギーと非断熱カップリングを生成し、得られたデータを用いて残りのデータを予測することで、計算コストを削減する。補完されたデータを用いて非断熱分子動力学シミュレーションを行い、Er添加GaAsにおけるキャリアダイナミクスの解析を高速に行うことで中間準位でのキャリア寿命が長いErドープ量の最適化を目指す。